Სიზუსტის მაღალი ხარისხის SMA ქალის ტიპის ფლანეცის კრიმპი RG316-ისთვის — DC–დან 13 გიგაჰერცამდე, დაკარგვის მცირე მაჩვენებლი, VSWR <1,35







Ცენტრის დირიჟორი |
ბერილიუმის სპილენძი, ოქროს დაფარვა (Au 0,1 მკმ) |
Იზოლატორები |
PTFE |
Სხეული |
ბრინჯაო, ოქროს დაფარვა (Au 0,05 მკმ) |
Რითილი |
ბრინჯაო, ოქროს დაფარვა (Au 0,05 მკმ) |
Თხილი |
ბრინჯაო, ოქროს დაფარვა (Au 0,05 მკმ) |
Ბლოკირების ვაშერი |
ბრინჯაო, ოქროს დაფარვა (Au 0,05 მკმ) |
Იმპედანსი |
50 ომ |
Სიხშირის ბანდი |
მუდმივი დენსიდან 13 გიგაჰერცამდე |
VSWR |
1.35max |
Ჩასმის დაკარგვა |
0,12 √F(გიგაჰერცი) დბ მაქსიმუმ |
Დიელექტრიკი გაუძლოს ძაბვას |
1000 ვოლტი |
კონტაქტის წინაღობა |
ცენტრალური გამტარი ≤ 3 მომ, გარე გამტარი ≤ 2 მომ |
იზოლაციის რეზისტანსი |
≥5000mΩ |
Მდგინარეობა |
≥500 |


Შედეგების მეტრიკები |
Სტანდარტული კონექტორი |
Მაღალი სიკეთის კონექტორი |
Გაძლიერების კოეფიციენტი |
Ჩასმის დაკარგვა |
>0.5 დბ |
<0.1 დბ |
↑80% |
Ძაბვის სტანდარტული ტალღის შეფარდება (VSWR) |
>1.5 |
≤1.20 |
↑20% |
Სიგნალის დეფორმაცია |
Გამოჩენილი |
Მინიმალური |
↑90% |
Სიგნალის სიმძლავრე |
Მძიმე ატენუაცია |
Თითქმის არ არის დაკლება |
>95% |
Კომუნიკაციის ხარისხი |
Არასტაბილური |
Სტაბილური და მัრთველი |
↑ |








