Ცენტრალური კონდუქტორიფოსფორის ბრინჯი,გალვანური საფარის იზოლატორებიPTFEსხეული ბერილიუმის სპილენძი,გალვანური საფარიიმპედანსი50 ომისიხშირული დიაპაზონიDC-დან 10 GHz-მდეVSWR1.2 მაქსიმუმიდიელექტრიკული გამძლეობა1000vკონტაქტის წინაღობაცენტრალური კონდუქტორი ≤5mΩ გარე კონდუქტორი≤2...
Ცენტრის დირიჟორი |
Ფოსფორის ბრინჯაო, მოოქროვილი |
Იზოლატორები |
PTFE |
Სხეული |
Ბერილიუმის სპილენძი, გალვანური დასრულება |
Იმპედანსი |
50 ომ |
Სიხშირის ბანდი |
DC-დან 10 გჰც-მდე |
VSWR |
1.2 max |
Დიელექტრიკი გაუძლოს ძაბვას |
1000 ვოლტი |
Კონტაქტული რეზისტანსი |
중앙 도체 ≤5mΩ Გარე გამტარი≤2.5mΩ
|
Იზოლაციის რეზისტანსი |
≥5000mΩ |
Მდგინარეობა |
≥500 |
EN
