Ცენტრალური კონდუქტორიბერილიუმის სპილენძი, ოქროს გალვანური დასაფარიინსულინის მასალაPTFE-ს ტანი ბერილიუმის სპილენძი, ოქროს დასაფარი 50 ომის იმპედანსის სიხშირის დიაპაზონი DC-დან 10 გიგაჰერცამდეVSWR1.2 მაქსიმუმიდიელექტრიკის გამძლეობა 1000ვ-მდეკონტაქტის წინაღობაცენტრალური კონდუქტორი ≤5მΩგარე კონდუქტორი≤2.5მΩიზოლაციის წინაღობა...
Ცენტრის დირიჟორი |
Ბერილიუმის სპილენძი, მოოქროვილი |
Იზოლატორები |
PTFE |
Სხეული |
Ბერილიუმის სპილენძი, გალვანური დასრულება |
Იმპედანსი |
50 ომ |
Სიხშირის ბანდი |
DC-დან 10 გჰც-მდე |
VSWR |
1.2 max |
Დიელექტრიკი გაუძლოს ძაბვას |
1000 ვოლტი |
Კონტაქტული რეზისტანსი |
중앙 도체 ≤5mΩ Გარე გამტარი≤2.5mΩ
|
Იზოლაციის რეზისტანსი |
≥5000mΩ |
Მდგინარეობა |
≥500 |
EN
