

Ცენტრის დირიჟორი |
Ლათინი, გალვანიზირებული (0.05 მკმ) |
Იზოლატორები |
PTFE |
Სხეული |
Ლათინი, სამუშა შენადნობის გალვანიზაცია (3 მკმ) |
Დაწყვილება თხილი |
Ლათინი, გალვანიზირებული (0.05 მკმ) |
Თხილი |
Ლათინი, სამუშა შენადნობის გალვანიზაცია (3 მკმ) |
Ბუშინგი |
Ლათინი, სამუშა შენადნობის გალვანიზაცია (3 მკმ) |
Სარეცხი მანქანა |
Ლათინი, სამუშა შენადნობის გალვანიზაცია (3 მკმ) |
Ბეჭედი |
Ფოსფორული ბრონზა |
Ო'რინგი |
სილიკონის რეზინი (შავი) |
Გადასახადის გრეილი |
სილიკონის 椽ები |
Gasket2 |
სილიკონის რეზინი (შავი) |
Იმპედანსი |
50 ომ |
Სიხშირის ბანდი |
DC 18 გჰც-მდე |
Დიელექტრიკი გაუძლოს ძაბვას |
1000 ვოლტი |
VSWR |
1.2 მაქსიმუმი @ DC~3 გჰც |
Კონტაქტული რეზისტანსი |
Ცენტრალური დირიჟორი ≤3mΩ Გარე კონდუქტორი≤2mΩ
|
Იზოლაციის რეზისტანსი |
≥5000mΩ |














